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一、 研究所概況
中國科學(xué)院半導體研究所(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“半導體所”)于1960年在北京成立，目前已發(fā)展成為集半導體物理、材料、器件研究及系統集成應用于一體的國家級半導體科學(xué)技術(shù)綜合性研究機構。半導體所是中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位，材料科學(xué)與工程入選國家一流學(xué)科。近年來(lái)，半導體所在半導體物理、材料、器件研究及系統集成應用等領(lǐng)域取得一系列重大原創(chuàng )性成果，獲得國家自然科學(xué)獎、國家科技進(jìn)步獎等多項獎勵。
二、師資力量
半導體所現有在職職工700余人。中國科學(xué)院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引進(jìn)人才計劃入選者53人，國家“WR計劃”入選者14人，國家杰出青年科學(xué)基金獲得者20人，“百千萬(wàn)人才工程”入選者10人。半導體所擁有一支包括兩院院士、國家杰出青年科學(xué)基金獲得者、海外高端人才、國家“WR計劃”入選者、“百千萬(wàn)人才工程”入選者在內的，老、中、青相結合及年齡、知識結構、學(xué)科分布合理的研究生指導教師隊伍。半導體所現有研究生導師212名，其中博士生導師126名。
三、招生方向
半導體所是國家首批博士后流動(dòng)站設站單位，也是國家首批博士、碩士學(xué)位授予單位和中國科學(xué)院博士生重點(diǎn)培養基地之一，擁有8個(gè)學(xué)術(shù)型學(xué)科專(zhuān)業(yè)博士和碩士培養點(diǎn)(包括：凝聚態(tài)物理、光學(xué)工程、材料物理與化學(xué)、半導體材料與器件、物理電子學(xué)、電路與系統、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、集成電路科學(xué)與工程)，同時(shí)具有2個(gè)專(zhuān)業(yè)學(xué)位培養點(diǎn)(包括：電子信息、材料與化工)。
目前在學(xué)研究生近800人，其中近一半為博士生。半導體所實(shí)行研究生兼任研究助理的方式，為研究生提供優(yōu)越的科研和生活條件，研究生可以直接參與研究所承擔的重大課題項目及前沿研究與攻關(guān)。半導體所招收的研究生在讀期間享受?chē)?、中國科學(xué)院、國科大及半導體所的各項獎助學(xué)金待遇。歡迎全國各高校2025屆優(yōu)秀本科生積極報考半導體所!
四、申請條件
(一)全日制普通高等學(xué)校2025屆本科畢業(yè)生，獲得母校推免生資格并在教育部“推免服務(wù)系統”中獲得備案;
(二)熱愛(ài)科學(xué)事業(yè)，有較好的科研潛力，道德品質(zhì)良好，遵紀守法;
(三)誠實(shí)守信，學(xué)風(fēng)優(yōu)良，無(wú)任何考試作弊和剽竊他人學(xué)術(shù)成果記錄，無(wú)任何違法違紀受處分記錄;
(四)在大學(xué)本科階段學(xué)習成績(jì)優(yōu)異，在學(xué)期間專(zhuān)業(yè)主干課無(wú)重修科目或補考記錄;
(五)外語(yǔ)程度良好，具有較強的外語(yǔ)聽(tīng)、說(shuō)、讀、寫(xiě)應用能力;
(六)具有較強的調查研究、綜合分析問(wèn)題、解決問(wèn)題能力;
(七)身體健康狀況符合規定的體檢標準，心理健康狀況良好。
五、申請步驟
(一)網(wǎng)上報名：推薦免試申請人，須通過(guò)中國科學(xué)院大學(xué)推薦免試生申請系統報名，網(wǎng)址：
http://zhaosheng.ucas.ac.cn/sign_up/TMS/views/index.aspx，填報信息應真實(shí)有效。
(二)提交材料：完成報名后的推薦免試申請人通過(guò)半導體所招生報名系統填寫(xiě)意向導師(僅限1位)，并在“報名資料”欄目提交申請材料電子版。網(wǎng)址：
https://oa.semi.ac.cn/ui/views/app/bandaotisuo/fillintheentrance.html。路徑：半導體所招生系統-推免生報名-注冊用戶(hù)-學(xué)生登錄，登錄系統后按要求填寫(xiě)基本信息并上傳電子版申請資料(申請材料具體要求詳見(jiàn)本通知第六部分)。
申請資料紙質(zhì)版請自行攜帶至報到現場(chǎng)提交。
(三)資格審核：凡符合申請條件并已進(jìn)行網(wǎng)上報名且紙質(zhì)申請材料可以按時(shí)提交的考生，均可參加體檢面試，不再通過(guò)推免申請系統通知資格審核結果。資格審核將貫穿于整個(gè)招生過(guò)程，申請人須保證所提交申請材料的真實(shí)性和準確性，任何時(shí)候發(fā)現申請人提交的信息不真實(shí)或不準確，及不符合申請條件者均將取消面試資格或擬錄取資格。
(四)報名截止時(shí)間：2024年9月17日下午5：00。
六、申請材料
(一)必須提交的材料：
1. 《中國科學(xué)院大學(xué)推薦免試攻讀碩士學(xué)位研究生/直博生申請表》，此申請表通過(guò)“推免申請系統”報表的途徑打印;
2. 所在學(xué)校教務(wù)部門(mén)(或院系)出具并加蓋公章的大學(xué)本科前三年所修課程成績(jì)單(五年制的提供前四年課程成績(jì)單);
3. 個(gè)人簡(jiǎn)歷及專(zhuān)業(yè)學(xué)習情況介紹(無(wú)固定格式);
4. 英語(yǔ)等級證書(shū)復印件;
5. 第二代居民身份證復印件;
6. 學(xué)生證復印件;
7. 學(xué)信網(wǎng)學(xué)籍驗證報告。
(二)自愿提交的材料：
1. 《申請推薦免試攻讀中國科學(xué)院大學(xué)研究生專(zhuān)家推薦書(shū)》(由副教授或相當職稱(chēng)以上專(zhuān)家推薦，推薦書(shū)需密封并在封口騎縫處簽字);
2. 在公開(kāi)發(fā)行的學(xué)術(shù)刊物或全國性學(xué)術(shù)會(huì )議上發(fā)表的學(xué)術(shù)論文、所獲專(zhuān)利或其他原創(chuàng )性工作成果的復印件或證明;
3. 大學(xué)期間的獲獎證書(shū)復印件;
4. 對申請有參考價(jià)值的其他材料。
(三)提交方式：
1. 請按順序將所有申請材料合并為一個(gè)PDF文件，通過(guò)半導體所招生報名系統提交該文件，PDF文件命名格式：“推免申請材料+申請人姓名+申請人本科學(xué)校名稱(chēng)”(例如“推免申請材料+張三+中國科學(xué)院大學(xué)”)。請務(wù)必提供清晰的掃描版本，請勿直接使用照片。半導體所招生系統網(wǎng)址：https://oa.semi.ac.cn/ui/views/app/bandaotisuo/fillintheentrance.html。路徑：半導體所招生系統-推免生報名-注冊用戶(hù)-學(xué)生登錄，登錄系統后按要求填寫(xiě)基本信息并上傳電子版申請資料。申請資料紙質(zhì)版請自行攜帶至報到現場(chǎng)提交。
七、體檢和面試
(一)原則要求：申請人須在規定的時(shí)間內，參加半導體所組織的體檢和面試。體檢標準參照教育部、衛生部、中國殘疾人聯(lián)合會(huì )印發(fā)的《普通高等學(xué)校招生體檢工作指導意見(jiàn)》(教學(xué)[2003]3號)，人力資源和社會(huì )保障部、教育部、衛生部《關(guān)于進(jìn)一步規范入學(xué)和就業(yè)體檢項目維護乙肝表面抗原攜帶者入學(xué)和就業(yè)權利的通知》(人社部發(fā)[2010]12號)以及《教育部辦公廳 衛生部辦公廳關(guān)于普通高等學(xué)校招生學(xué)生入學(xué)身體檢查取消乙肝項 目檢測有關(guān)問(wèn)題的通知》(教學(xué)廳[2010]2號)執行。新生入學(xué)后須進(jìn)行體檢復查，體檢不合格者取消入學(xué)資格。面試由半導體所人事教育處組織專(zhuān)家小組對考生的專(zhuān)業(yè)素質(zhì)和能力、創(chuàng )新精神和創(chuàng )新能力、思想狀況、外語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)能力等進(jìn)行重點(diǎn)考察，包括考生所學(xué)專(zhuān)業(yè)基礎知識、所報考的學(xué)科專(zhuān)業(yè)的基礎知識及英語(yǔ)口語(yǔ)、簡(jiǎn)單科技文獻翻譯等。面試不指定具體科目及參考書(shū)目。專(zhuān)家小組根據考生回答問(wèn)題的綜合情況給出面試成績(jì)、參加本組復試考生的排序及是否錄取建議。
(二)時(shí)間安排：擬定于2024年9月19日—20日組織面試。
1. 報到
時(shí)間：2024年9月19日上午9:00-11:30
地點(diǎn)：半導體所辦公區一號樓733會(huì )議室(北京市海淀區清華東路甲35號)
辦理事項：交驗本人身份證及學(xué)生證原件;提交紙質(zhì)申請材料。
2. 體檢
時(shí)間：2024年9月20日上午
地點(diǎn)：瀚思維康體檢中心(北京市海淀區中關(guān)村南三街6號中科資源大廈南樓)
說(shuō)明：體檢當日早晨須空腹、體檢費用由半導體所支付。體檢主要評價(jià)考生的身體健康狀況。未在規定時(shí)間內參加面試和體檢者，不予錄取。
3. 面試
時(shí)間：2024年9月20日下午
地點(diǎn)：半導體所(北京市海淀區清華東路甲35號)
體檢結束后將以短信和email形式向考生推送面試具體時(shí)間和地點(diǎn)(請保持通訊暢通)。
八、擬錄取
(一) 研究所按照“德智體全面衡量、擇優(yōu)錄取、保證質(zhì)量、寧缺毋濫”的原則確定擬錄取名單并進(jìn)行公示。
(二) 被確定擬接收的推薦免試生必須在規定的時(shí)間內，與我所招生辦通過(guò)教育部“推免服務(wù)系統”(網(wǎng)址：http://yz.chsi.com.cn/)互動(dòng)完成網(wǎng)上報名、復試確認、擬錄取確認等各項網(wǎng)上操作。逾期未通過(guò)教育部“推免服務(wù)系統”完成相關(guān)接收手續的擬錄取推薦免試生不再保留擬錄取資格，其擬錄取資格自動(dòng)失效。
(三) 被擬錄取的推薦免試生不得再以統考生身份報名參加全國碩士生統一入學(xué)考試。
(四) 推薦免試生的錄取類(lèi)別一般為計劃內非定向。對擬錄取的推薦免試生，教育部審核通過(guò)后與統考生同時(shí)發(fā)放錄取通知書(shū)。
(五) 半導體所所有招生專(zhuān)業(yè)(含專(zhuān)業(yè)學(xué)位)均可接收推薦免試生，包括8個(gè)學(xué)術(shù)型學(xué)科專(zhuān)業(yè)(凝聚態(tài)物理、光學(xué)工程、材料物理與化學(xué)、半導體材料與器件、物理電子學(xué)、電路與系統、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、集成電路科學(xué)與工程)、2個(gè)專(zhuān)業(yè)學(xué)位(包括：電子信息、材料與化工)。
(六) 擬錄取的推薦免試生(含直博生)須在2025年4—5月份向我所提交大學(xué)本科最后兩學(xué)期的學(xué)習報告和政審表。內容包括本科最后兩學(xué)期所學(xué)課程及已結課的課程成績(jì)、畢業(yè)論文(畢業(yè)設計、實(shí)踐活動(dòng))選題及進(jìn)展情況。遵紀守法情況等，屆時(shí)將在我所網(wǎng)站發(fā)布相關(guān)通知，請注意及時(shí)查看。
(七) 對擬錄取的推薦免試生，出現下列情況之一的，取消其錄取資格：
1. 在本科階段最后一學(xué)年(四年制的指第七、八學(xué)期，五年制的指第九、十學(xué)期)主干課程學(xué)習成績(jì)有不及格科目;
2. 畢業(yè)設計(論文)未取得良好以上(含良好)成績(jì);
3. 畢業(yè)時(shí)未獲得本科畢業(yè)證書(shū)或學(xué)士學(xué)位;
4. 政審不合格;
5. 考試作弊或違紀(法)受到“警告”以上處分的，或有其他情節嚴重的違法亂紀行為受到處罰者;
6. 申請人提交的材料有弄虛作假者。
九、其他
(一) 未盡事宜或與中國科學(xué)院大學(xué)相關(guān)規定不符之處，均以中國科學(xué)院大學(xué)的相關(guān)規定為準。
(二) 聯(lián)系方式：
聯(lián)系人：見(jiàn)官網(wǎng)
電話(huà)：見(jiàn)官網(wǎng)
E-mail: 見(jiàn)官網(wǎng)。
中國科學(xué)院半導體所招生辦
2024年8月26日
原標題：中國科學(xué)院半導體研究所關(guān)于2025年推薦免試生申請報名及面試時(shí)間安排通知
文章來(lái)源：https://bdt.semi.ac.cn/yanjiusheng/contents/691/4308.html
