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《半導體器件》考試大綱
一、大綱綜述
本科目是西安工程大學(xué)電子信息(集成電路工程)二級碩士點(diǎn)研究生考試的初試科目，主要考察學(xué)生對本科階段所學(xué)的半導體器件物理的基本概念、基本原理、基本結構、解決簡(jiǎn)單工程問(wèn)題與思維方式的掌握程度?？荚噧热葜饕w有半導體物理基礎、PN結、雙極性晶體管、金屬-半導體接觸、結型場(chǎng)效應晶體管和金屬-半導體場(chǎng)效應晶體管、金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管等基本內容。
二、考試內容
1、半導體物理基礎
1.1晶體結構、能帶、載流子的統計分布
1.2電荷輸運、準費米能級、復合機制、半導體中的基本控制方程
2、pn結
2.1熱平衡PN結、加偏壓的PN結
2.2理想PN結二極管的直流電流-電壓特性
2.3空間電荷區復合電流和產(chǎn)生電流、隧道電流
2.4大注入效應
2.5溫度對PN結I-V特性的影響、耗盡層電容、雜質(zhì)分布和變容二極管
2.6 PN結二極管的頻率特性、PN結二極管的開(kāi)關(guān)特性、PN結擊穿
3、雙極型晶體管
3.1雙極結型晶體管的結構和制造工藝
3.2雙極結型晶體管的基本工作原理、理想雙極結型晶體管中的電流傳輸
3.3埃伯斯-莫爾方程、緩變基區晶體管、基區擴展電阻和電流集聚效應
3.4基區寬度調變效應、晶體管的頻率響應、混接π模型等效電路
3.5 BJT的混接π模型、頻率響應、基區展寬
3.6晶體管的開(kāi)關(guān)特性、反向電流和擊穿電壓
3.7異質(zhì)結雙極性晶體管
4、金屬-半導體結
4.1肖特基勢壘、界面態(tài)對勢壘高度的影響、鏡像力對勢壘高度的影響
4.2肖特基勢壘二極管的結構、肖特基勢壘二極管的電流一電壓特性、金屬-絕緣體-半導體肖特基二極管
4.3肖特基勢壘二極管和PN結二極管的比較、歐姆接觸非整流的M-S結
5、結型場(chǎng)效應晶體管和金屬-半導體場(chǎng)效應晶體管
5.1 JFET的基本結構和工作原理
5.2理想JFET的I-V特性、靜態(tài)特性、小信號參數和等效電路、JFET的最高工作頻率、溝道長(cháng)度調制效應
5.3夾斷后的JFET的性能、金屬-半導體場(chǎng)效應晶體管、JFET和MESFET的類(lèi)型
6、金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管
6.1理想MOS結構的表面空間電荷區
6.2理想MOS電容器、溝道電導與閾值電壓
6.3實(shí)際MOS的電容-電壓特性和閾值電壓
6.4 MOS場(chǎng)效應晶體管、等效電路和頻率響應
6.5 MOS場(chǎng)效應晶體管的類(lèi)型
6.6 MOS場(chǎng)效應晶體管的亞閾值區
6.7溝道長(cháng)度調制效應、短溝道效應、恒場(chǎng)等比例縮小
三、參考書(shū)目
《半導體物理與器件》(第三版)，孟慶巨主編，科學(xué)出版社，2022年。
原標題：976-《半導體器件》考試大綱
文章來(lái)源：https://math.xpu.edu.cn/info/1223/4798.htm
