第一部分 考試說(shuō)明
一、考試性質(zhì)
《電子技術(shù)基礎》是報考電子信息專(zhuān)業(yè)的考試科目之一。為幫助考生明確考試復習范圍和有關(guān)要求，特制定出本考試大綱。
本考試大綱適用于報考東莞理工學(xué)院電子信息專(zhuān)業(yè)2023年全國碩士研究生入學(xué)考試的準考考生。
二、考試形式與試卷結構
(一)答題時(shí)間：180分鐘
(二)答題方式：閉卷，筆試(需考生自備計算器、畫(huà)圖工具)
(三)總分：150分
(四)試卷結構：填空題10%，判斷題10%，選擇題20%，分析計算題60%。
三、參考書(shū)目
1.《電子技術(shù)基礎(模擬部分第六版)》，康華光主編，高等教育出版社，2013年
2.《數字電子技術(shù)基礎簡(jiǎn)明教程》(第四版)，余孟嘗原著(zhù)，高等教育出版社，2018年
第二部分 考試內容
一、考試要求
要求考生全面系統地掌握模擬電子技術(shù)和數字電子技術(shù)的基本概念、基本電路、基本分析和設計方法，熟悉其在電子信息領(lǐng)域的工程應用，并能靈活運用所學(xué)知識，具備一定的分析問(wèn)題與解決問(wèn)題的能力。
二、考試內容
本學(xué)科的考查要點(diǎn)包括：考生對模擬電子技術(shù)和數字電子技術(shù)基礎知識的理解及掌握情況，并應用基本概念、基本電路、基本分析和設計方法解決電子工程領(lǐng)域實(shí)際工程問(wèn)題的能力。
第1部分 模擬電子技術(shù)基礎
1.常用半導體器件原理及特性
基本要求：理解半導體的基本知識和構成半導體器件的基本結構——PN結的形成及其特性;掌握常用半導體器件——二極管、三極管和場(chǎng)效應管的物理結構、工作原理、特性曲線(xiàn)和主要參數。
2.分立半導體器件基本電路
基本要求：掌握分析分立半導體器件基本電路的圖解分析方法和簡(jiǎn)化(小信號)模型分析方法，能夠運用上述分析方法對分立半導體器件基本電路的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)參數進(jìn)行分析及計算;理解基于三端放大器件(FET和BJT)基本放大電路的構成要素、工作原理及不同放大組態(tài)的特點(diǎn);理解放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)對動(dòng)態(tài)工作的影響及典型工作點(diǎn)穩定電路的原理，掌握放大電路產(chǎn)生非線(xiàn)性失真的原因及其改善措施;理解分立半導體放大電路中的電抗性元件對放大電路頻率特性的影響。
3.模擬集成電路的單元電路
基本要求：理解模擬集成電路中普遍使用直流偏置技術(shù)的作用，理解由FET和BJT構成的典型電流源電路的原理及特性;理解差模信號和共模信號的概念，理解模擬集成電路中引入差分式放大電路的作用和意義;掌握由三端放大器件(FET和BJT)構成的典型差分放大電路的工作原理、靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數的分析、計算。
