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一、參考書(shū)目：
西安交大劉恩科主編.《半導體物理學(xué)》(第七版).北京：電子工業(yè)出版社，2011
二、復習的總體要求
考生應掌握半導體物理學(xué)的基本理論和基本概念，掌握半導體中的電子狀態(tài)、雜質(zhì)和缺陷能級、半導體中載流子的統計分布及運動(dòng)規律;掌握PN結基本理論;了解半導體表面及半導體的光、熱、磁、壓阻等各種物理現象。
三、主要復習內容
①半導體中的電子狀態(tài)
熟練掌握半導體中的電子運動(dòng)、有效質(zhì)量、本征半導體的導電機構;掌握鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。
②半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級
熟練掌握鍺、硅晶體中的雜質(zhì)能級;理解應用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的雜質(zhì)能級;理解缺陷能級，位錯能級。
③熱平衡時(shí)半導體中載流子的統計分布
掌握狀態(tài)密度、費米能級載流子的統計分布，本征半導體的載流子濃度雜質(zhì)半導體的載流子濃度
④半導體的導電性
熟練掌握載流子的漂移運動(dòng)、載流子的散射、遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系;了解熱載流子。
⑤非平衡載流子
掌握非平衡載流子的注入與復合、非平衡載流子的壽命、準費米能級、復合理論、陷阱效應、載流子的擴散運動(dòng)、愛(ài)因斯坦關(guān)系。
⑥ p-n結
理解p-n結及能帶圖、p-n結的電流電壓特性、p-n結電容、p-n結擊穿、p-n結隧道效應。
⑦ 金屬和半導體的接觸
熟練掌握屬和半導體接觸的整流理論，理解少數載流子的注入、歐姆接觸。
原標題：上海電力大學(xué)2025年招收攻讀碩士學(xué)位研究生招生簡(jiǎn)章、目錄簡(jiǎn)介及考試大綱
文章來(lái)源：https://xxgk.shiep.edu.cn/e6/68/c525a255592/page.htm
